尽管半导体行业出现下行迹象，但三星赶超台积电的决心似乎并未动摇。

3月15日，据韩联社报道，三星公司计划投资300万亿韩元(约2300亿美元)在京畿道打造全球最大的半导体集群，其中将至少包含5座先进制程的晶圆代工厂。

在韩国工业、能源与贸易部同日发布的一份声明中显示，三星的这份蓝图预计将吸引首尔附近150多家半导体零部件、材料及Fabless(无晶圆)厂商。

2007-2008年，全球存储器市场因为Windows Vista销量不佳而暴跌，许多业内公司都通过限产让市场恢复正常的供需关系，从而稳定价格。但三星却在这一时期大幅提高产能，让存储器芯片市场全面跌破材料成本，包括奇梦达、尔必达等一众存储芯片巨头纷纷破产，三星自此一家独大。

但不同于彼时，当下的三星在晶圆代工行业中可能并没有扰乱市场的资本。

3月12日，三星公布了一份《电子事业报告书》，其中提到三星将从2023年上半年开始大规模量产第三代4nm芯片。据悉，三星的第三代4nm芯片在能效、功耗和芯片面积微缩方面都有一定提升。

在这个时间点宣布新一代4nm工艺量产，很可能是三星为挽回客户的无奈之举。今年年初，韩媒Business Korea曾报道，高通即将发布的骁龙SM7475处理器(4nm工艺)将转单至台积电。如果消息属实，这对三星的代工业务将是个巨大的打击，此前骁龙的8系平台就因良率问题被高通转单。

实际上，先进制程芯片的良率问题近些年一直是三星挥之不去的梦魇。

在第一代4nm工艺制程量产时，华尔街日报曾报道过其良率仅为60%，而台积电在该工艺制程中的良率能达到80%。

而到了3nm量产时，由于采用了全新的GAA(全环绕栅极)架构，据Business Korea报道，其良率甚至一度下滑到20%，这导致其3nm工艺制程迟迟未能拿到大公司的订单。

三星3nm工艺制程晶圆，图片来源：Business Korea

在此背景下，三星本轮的逆周期投资十分值得玩味。

一方面，消费电子市场短期内还看不到复苏的迹象;另一方面，三星在先进制程上的良率问题也没有得到妥善解决，此番逆周期投资是否会导致“本不富裕”的DS部门徒增风险。

一位半导体业内人士认为，现阶段还不好做出预测。首先，三星的扩产计划未给出详细的时间节点，无法根据市场行情来判断;其次，三星扩产的底气来自于其庞大的出海口，包括三星电子下设的各业务部门、以及SDI、SDS等其他子公司都可以帮助消耗产能，这个商业版图是其他厂商学不来的。

这位业内人士向虎嗅表示，国内半导体厂商的扩产逻辑也是类似的，比如近年扩张飞快的比亚迪半导体，其“核心实力”就是比亚迪汽车这个出海口，即使市场出现波动，前者也可以凭借自家产业链来实现对库存水位的调整。相比之下，那些独立的代工厂在产能扩张上则要保守的多。